专家信息 | 华东师范大学

极化材料与器件教育部重点实验室实验室主要瞄准国家信息产业和技术发展的战略需求,以研究凝聚态物质的电荷和自旋极化现象、发现极化规律和新物理效应、探索量子调控手段及新型功能器件为核心目标。根据国际上相关领域的最新研究进展和趋势,实验室确立了窄禁带半导体中的电子自旋极化和输运、铁电/多铁体中的电荷极化和磁电耦合规律、自旋/电荷极化的光电子学研究、氧化物微纳极化电子器件和硅基集成等主要研究方向。

 

➤ 个人简介:褚君浩,教授、院士,中国半导体物理和器件专家,中国科学院上海技术物理研究所研究员、红外物理学家。现任中国科学院上海技术物理研究所科技委副主任,东华大学理学院院长。
➤ 研究方向:长期从事红外光电子材料和器件的研究。
➤ 主要成果:
褚君浩院士长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红探测器的窄禁半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽等关系式;被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现了HgCdTe的基本光电跃迁特性,确定了材料器件的光电判别依据;开展了铁电薄膜材料物理和非冷红外探测器研究,研究成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像,为中国物理科学和研究作出了重大贡献。
主要研究固体物理、窄禁带半导体物理。系统研究了窄禁带半导体的基础物理,在光学性质、电学性质、能带结构、晶格振动、杂质缺陷、二维电子气研究方面取得系统的研究成果,HgCdTe基础物理部分研究成果具有国际领先水平。提出的禁带宽度公式被国际上称为CXT公式(褚、徐、汤)。
发表论文200余篇,研究结果被国内外广泛引用并被大篇幅写进美国、英国、荷兰、前苏联等出版的科学手册和专著中。被国际权威的Landolt-Bornstein科技数据集特邀为“含Hg化合物部分”修订负责人。

 

➤ 个人简介:朱自强,博士、“紫江学者”特聘教授、首批终身教授。曾任华东师范大学副校长、华东师范大学研究生院院长。现任上海师范大学校长,兼任上海市电子学会副理事长。
➤ 研究方向:半导体材料与器件;生物传感器等。
➤ 主要成果:朱自强教授多年来一直致力于半导体领域的研究,尤其在II-VI族半导体化合物材料与器件方面的研究成果得到国
际同行的认可。在国际SCI学术榜刊物上共发表论文170余篇,引用率超过3000次。已完成包括国家杰出青年基金在内的二十余项国家级、部级和上海市重点科研项目‚获得了十几项国家发明专利。1995年在国际上率先开展了ZnO MBE生长,制备出了高质量MBE ZnO单晶材料,首次报道了500K ZnO光泵激子激光,研究结果作为通讯作者发表在Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2230上,迄今单篇SCI论文引用次数超过1200次。

 

➤ 个人简介:段纯刚,教授,华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室主任,博士生导师,国家杰出青年科学基金获得者。
➤ 研究方向:主要从事固体材料结构和物性的理论研究和计算模拟,研究领域包括:1、多铁体,磁电体,铁电体,铁磁体和自旋电子学材料等信息功能材料;2、纳米结构:超薄膜,表面界面,纳米管等;3、磁性和铁电材料隧道结的自旋输运;4、分子动力学和蒙特卡罗模拟。
➤ 主要成果:在Nano Lett.‚ Phys. Rev. Lett.‚ Adv. Mater., Adv. Func. Mater.等国际著名学术刊物上共发表学术论文80余篇,SCI引用逾2200次,引用刊物包括Nature、Science等,SCI论文H因子25,其中7篇文章SCI引用上百次。 现为中国材料研究学会计算材料学分会委员,曾任第4届国际材料大会多铁体分会(2012年)国际顾问委员会成员,第4届亚太多铁会委员, 国际杂志Frontiers in Condensed Matter Physics 编委。

 

➤ 个人简介:陈少强,现任华东师范大学教授,硕士生导师。
➤ 研究方向:半导体纳米光电材料的制备技术及其光电特性研究,半导体高效太阳能电池以及半导体脉冲激光器的设计制备及其光电特性的物理和实验研究。
➤ 主要成果:在半导体光电子材料与器件等领域里开展了系统深入的研究工作,揭示了与三维截然不同的一维爱因斯坦关系式,并利用具有世界最高质量和均匀度的T-型GaAs量子线,创建并验证了利用吸收谱来测量激子本征寿命的准确方法(Scientific Reports. 3, 1941, 2013);建新了增益转换半导体脉冲激光器的理论基础模型,并利用半导体脉冲激光器产生出具有破世界纪录的蓝光和红外领域的超短增益转换光脉冲(Scientific Reports.4, 6401,2014);建立了多结太阳能电池的定量载流子平衡理论模型,并率先提出了通过测量半导体太阳能电池的绝对外部电致发光效率来量化子结的各种能量损失的方法(Scientific Reports.5, 7836 ,2015)。迄今为止,已发表SCI或EI收录论文40余篇,其中以第一作者发表20余篇,包括:Nature旗下期刊Scientific Reports 4篇,Appl. Phys. Lett. 3篇,以及Opt. Express 4篇等,另有授权专利数项。

 

➤ 个人简介:胡志高,东方学者特聘教授,华东师范大学信息科学技术学院电子工程系教授,博士生导师,现任电子工程系系主任。
➤ 研究方向:光电子材料、器件与物理;铁电氧化物光谱学;氧化物半导体及其低维结构光电子学;极端条件下光电特性测试系统研发等。
➤ 主要成果:在PRB及APL等国际应用物理与材料顶级学术期刊上发表SCI收录论文150多篇(其中影响因子3.0以上有80多篇),他引700多次。应邀出版国际英文学术专著章节4章。主持并完成科技部重大科学研究计划、国家自然科学基金项目以及上海市科委/教委重点项目等十多项科研课题。

 

      联系方式

联系方式:021-55230656

电子邮件:info@gaoxiaotech.com

网站地址:www.gaoxiaotech.com

zh_CNChinese
en_USEnglish zh_CNChinese
滚动到顶部